低功耗的多次可编程非易失性存储单元及其存储器.pdfVIP

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2023-10-28 发布于四川
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低功耗的多次可编程非易失性存储单元及其存储器.pdf

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本发明涉及多次可编程非易失性存储单元及其存储单元组和存储器，所述存储单元包含：一个深N阱，第一P阱、第二P阱、和一个N阱，三者相互平行位于所述深N阱中，所述两个P阱被所述N阱分隔开；一个NMOS浮栅晶体管位于第一P阱中，该浮栅晶体管包含多晶硅浮栅及其下方的栅氧化物；一个电容位于第二P阱中，该电容包含一个或两个位于第二P阱中N型耦合区；所述第一P阱中的浮栅晶体管的浮栅及其栅氧化物，垂直于P阱与N阱的平行方向，延伸跨过N阱，直至覆盖第二P阱中的所述电容，分别形成该电容的上极板和栅氧化物。所述存储单元

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116963501 A (43)申请公布日 2023.10.27 (21)申请号 202210375074.8 (22)申请日 2022.04.11 (71)申请人成都锐成芯微科技股份有限公司地址