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sisinx多层膜结构中亚层的带隙宽化 优质硅材料是现代集成电路行业的基础，技术高度成熟。它是人类最深入、最了解、应用最广泛的材料之一（硅材料的产量约占半丝器总产值的95%）。晶体硅具有导致结构，具有低发光率（约百万分）。人们普遍认为，它不能用作光化学材料。然而，自90年代以来，坎霍发现了一个非常强大的灯丝硅（psi），它具有很强的温室光致发光。在蓝色和紫外的激发下，多孔硅的光传播波长通常为650k-800nm。1992年，研究团队首次采用了沸水后的处理工艺，对多孔硅的蓝色发射进行了（蓝色是印刷中不可缺少的三个基色成分之一）。为了实现所有硅材料的融合，我们希望提出至少30个模型。请参考。在应用上，psi结构的光致发光稳定性很差，容易分解，不利于进一步的设备应用。因此，研究新的硅基发光结构，不仅有助于理解pl的起源，而且可以改善硅基发光结构的光致发光稳定性，进一步缩短从基础研究到实际应用的距离。为了提高硅基发光率，可以采用它。另一方面，它延伸了si3n4带的宽度，是一种非常好的纳米硅限制材料。另一方面，引入氮的引入可以减少硅和硅之间的界面畸变，提高硅材料的光致动量效率。 量子阱结构模型是一种解释硅纳米结构的有效方法,已有不少研究组报道了a-Si/SiO2、a-Si/SiNx结构可见光致发光(PL)的相关研究.一般地,a-Si/SiNx量子阱结构中Si的带隙为1.1 eV,SiNx带隙为4.6 eV.理论上讲,a-Si/SiNx结构的带隙可以在1.1～4.6 eV的范围变化.通常,a-Si/SiO2系统可以获得较好的发光增加效果,但是SiO2中Si电子的电致发光所需的电场强度大于6 MV/cm,空穴则需10 MV/cm,这一电场强度接近于SiO2的击穿电圧;而SiNx(x=1.33)的带隙为4.6 eV,Si-Si3N4界面处的电子和空穴的势垒为2.0 eV和1.5 eV,因此电子和空穴SiNx所需要的电场强度仅为2～4 MV/cm,远低于SiO2的击穿场强.因此制备Si/SiNx多层膜将有可能获得强的Si电致发光,它比a-Si/SiO2多层膜结构在发光二极管(LED)中的应用更有优势,因此Si/SiNx多层膜的研究近来引起了人们的极大兴趣. 本文将应用Kronig-Penney(K-P)模型从理论上探讨Si/SiNx多层膜结构中的Si量子阱的电子结构,以期能够对此类多层膜发光结构的进一步实验研究提供有用的理论指导. 1 多层膜载流子有效质量的计算 Si/SiNx多层膜结构的有效势垒如图1所示,Si量子阱被限制在SiNx势垒中,阱层的厚度为d,SiNx层的厚度为b,势垒高度为V1e,1h,Si/SiNx多层膜结构的周期长度l1=d+b,横向的量子限制被忽略,z为传播方向.为了减少粒子对能带结构计算的影响,认为电子和空穴没有联系. Si/SiNx多层膜结构粒子势场为 ???????????????V(z)={0,0zd,V1e,1h,?bz0,?bxd,V(z)=V(z+nl1),n=0,±1,±2,其它区域,(1){V(z)={0,0zd,V1e,1h,-bz0,-bxd,V(z)=V(z+nl1),n=0,±1,±2,其它区域,(1) 其中,e和h分别对应电子和空穴.将利用有效哈密顿He,h计算电子和空穴状态,He,h表示为 He,h=?h28π2m?e,hd2dz2e,h+V(ze,h),(2)Ηe,h=-h28π2me,h*d2dze,h2+V(ze,h),(2) 其中,m*e,h是载流子的有效质量.基于得到的哈密顿量He,h,采用有效质量理论(EMT)和能带近似法(BPA)进行计算,忽略阱层和势垒之间有效质量的变化,则得到Hamiltonian(He,h)的特征方程如下 cos(kz,e,hl1)=β2e,h?α2e,h2αe,hβe,hsinh(βe,hb)sin(αe,hc)+cosh(βe,hb)cos(αe,hc),(3)cos(kz,e,hl1)=βe,h2-αe,h22αe,hβe,hsinh(βe,hb)sin(αe,hc)+cosh(βe,hb)cos(αe,hc),(3) 其中 αe,h=8π2m?e,hEe,h/h2????????????√,βe,h=8π2m?e,h(V1e,1h?Ee,h)/h2????????????????????√,αe,h=8π2me,h*Ee,h/h2,βe,h=8π2me,h*(V1e,1h-Ee,h)/h2, kz,e,h是波矢,与z方向平行. 接下来再计算确定Ee,h的特征值.通过求解方程(3),可以获得Ee,h～kz,e,h色散关系,改变参数可得到相应的能带结构.利用色散曲线还可能得到Si/SiNx多层膜中的载流子有效质量. 2 结果和讨论 2.1 si/sin