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本发明公开了一种CMOS高压恒流神经刺激芯片，其特征在于，包括偏置管理模块；串行外设接口；数字模拟转换器；N个高压恒流神经刺激通道。本发明利用低压CMOS工艺实现高压双极双相恒流神经刺激芯片，在任意负载阻抗下保证电路中晶体管均工作在其最大耐压下。所实现多通道神经刺激芯片的刺激参数，如电流强度、频率、脉冲宽度和刺激持续时间等均可灵活调节。芯片采用串行接口，可兼容商用微控制器。此外，芯片支持多通道并行刺激，由此可以实现多点并行神经调控。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 116999697 A
(43)申请公布日 2023.11.07
(21)申请号 202311050338.3
(22)申请日 2023.08.18
(71)申请人 上海科技大学
地址 201210
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