一种小尺寸沟槽Mosfet的ESD结构及其制造方法.pdfVIP

下载本文档

1
0
约1.28万字
约 13页
2023-11-08 发布于四川
举报
版权申诉

一种小尺寸沟槽Mosfet的ESD结构及其制造方法.pdf

1、本文档内容版权归属内容提供方，所产生的收益全部归内容提供方所有。如果您对本文有版权争议，可选择认领，认领后既往收益都归您。。
2、本文档由用户上传，本站不保证质量和数量令人满意，可能有诸多瑕疵，付费之前，请仔细先通过免费阅读内容等途径辨别内容交易风险。如存在严重挂羊头卖狗肉之情形，可联系本站下载客服投诉处理。
3、文档侵权举报电话：400-050-0827(电话支持时间：9:00-18:30)。
4、该文档为VIP文档，如果想要下载，成为VIP会员后，下载免费。
5、成为VIP后，下载本文档将扣除1次下载权益。下载后，不支持退款、换文档。如有疑问请联系我们。
6、成为VIP后，您将拥有八大权益，权益包括：VIP文档下载权益、阅读免打扰、文档格式转换、高级专利检索、专属身份标志、高级客服、多端互通、版权登记。
7、VIP文档为合作方或网友上传，每下载1次，网站将根据用户上传文档的质量评分、类型等，对文档贡献者给予高额补贴、流量扶持。如果你也想贡献VIP文档。上传文档

本发明公开了一种小尺寸沟槽Mosfet的ESD结构及其制造方法，属于半导体集成电路制造技术领域，一种小尺寸沟槽Mosfet的ESD结构包括终端区域，所述终端区域设置在所述ESD区域的外围，所述ESD区域设置在所述元胞区域的外围。通过将ESD区域呈环形或者回型设置在终端区域内，增加了ESD的总长，提高了ESD的保护能力，从根本上降低ESD对功率Mosfet的损害，并且在Gate区域设置了栅极电阻，通过栅极电阻消除栅极振荡，转移驱动器的功率。

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 115332244 A (43)申请公布日 2022.11.11 (21)申请号 202211005764.0 H01L 23/34 (2006.01)