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本发明属于二硫化钼制备的技术领域，公开了一种3R‑MoS2粉体的制备方法。方法：1)将钼酸盐滴入氯化亚锡反应，获得前驱体粉末；2)将前驱体粉末和升华硫粉分别置于高温区和低温区，分别加热至所需的温度，并通入载气使得硫粉载入高温区进行反应，冷却，获得3R型MoS2粉体；高温区所需的温度为890～910℃，高温区的升温速率为5～7℃/min；高温区升至所需温度后保温，保温的时间为30～60min；低温区所需的温度为210～230℃，低温区的升温速率为9～11℃/min。本发明的方法简单，获得的3R‑M
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 115504510 A
(43)申请公布日 2022.12.23
(21)申请号 202211180000.5
(22)申请日 2022.09.27
(71)申请人 华南理工大学
地址 51
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