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本发明属于压控衰减器技术领域，特别涉及一种单电压控制的压控衰减器及芯片。所述压控衰减器包括单正压的控制电压、电阻RD、多个串联在射频主线上的Π型衰减单元，所述Π型衰减单元内部满足阻抗匹配；所述控制电压通过电阻RD与射频主线相连；所述Π型衰减单元包括位于射频主线上作为开关的FET晶体管，所述FET晶体管的源极和栅极两端分别连接第一可变电阻组件和第二可变电阻组件，所述第一可变电阻组件和第二可变电阻组件满足动态阻值与所述控制电压成线性。通过本发明可以提供一种单正压控制的压控衰减器，其系统结构简单，不易
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 117013988 A
(43)申请公布日 2023.11.07
(21)申请号 202311003299.1
(22)申请日 2023.08.10
(71)申请人 无锡华睿芯微电子科技有限公司
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