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本公开提供了一种薄膜铌酸锂电光调制器芯片及其调制方法，该芯片包括：衬底层、掩埋氧化层、铌酸锂波导层和电极层，从下至上依次叠加；铌酸锂波导层上表面包括相互平行的第一光波导和第二光波导；电极层包括复合行波电极和直流电极；复合行波电极为T型分布式行波电极结构，设于第一光波导和第二光波导之间及第一光波导和第二光波导的侧面；直流电极，设于第一光波导和第二光波导之间，在信号传输方向位于复合行波电极下游。该芯片不仅转换效率较高，而且增大了带宽，克服了难以集成的技术问题。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 117031792 A
(43)申请公布日 2023.11.10
(21)申请号 202310943267.3
(22)申请日 2023.07.28
(71)申请人 中国科学院半导体研究所
地址 1
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