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本发明涉及晶片技术领域，本发明提供了一种涉及金属检测晶片制备方法及应用，使用不同的二维电材料，(包括硅，钛，镓，石墨烯(Gr)40，41、黑磷(BP)13和硒化钯(PdSe2)42，43纳米片)作为活性热电材料来制造晶片的基本材料，其方法为：使用LumericalFDTD解决方案和HEAT包对手性等离子体超材料的响应和光热效应进行了模拟；模拟结构由硅基板、SiO(厚度为28nm)、金背板(厚度为20nm)、AlO介电空间层(20‑20nm)、金天线(厚度为15nm)和空气组成。本发明的活性材料
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 117042573 A
(43)申请公布日 2023.11.10
(21)申请号 202311001865.5 G16C 60/00 (2019.01)
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