一种半导体结构及其形成方法、存储器.pdfVIP

下载本文档

1
0
约2.39万字
约 25页
2023-11-11 发布于四川
举报
版权申诉

一种半导体结构及其形成方法、存储器.pdf

1、本文档内容版权归属内容提供方，所产生的收益全部归内容提供方所有。如果您对本文有版权争议，可选择认领，认领后既往收益都归您。。
2、本文档由用户上传，本站不保证质量和数量令人满意，可能有诸多瑕疵，付费之前，请仔细先通过免费阅读内容等途径辨别内容交易风险。如存在严重挂羊头卖狗肉之情形，可联系本站下载客服投诉处理。
3、文档侵权举报电话：400-050-0827(电话支持时间：9:00-18:30)。
4、该文档为VIP文档，如果想要下载，成为VIP会员后，下载免费。
5、成为VIP后，下载本文档将扣除1次下载权益。下载后，不支持退款、换文档。如有疑问请联系我们。
6、成为VIP后，您将拥有八大权益，权益包括：VIP文档下载权益、阅读免打扰、文档格式转换、高级专利检索、专属身份标志、高级客服、多端互通、版权登记。
7、VIP文档为合作方或网友上传，每下载1次，网站将根据用户上传文档的质量评分、类型等，对文档贡献者给予高额补贴、流量扶持。如果你也想贡献VIP文档。上传文档

本公开提供了一种半导体结构及其形成方法、存储器，半导体结构包括沿第一方向依次堆叠排布的写晶体管阵列、存储节点阵列和读晶体管阵列；其中，读晶体管阵列包括多个沿第二方向和第三方向呈阵列排布的读晶体管；沿第二方向排布的多个读晶体管的有源区均位于沿第二方向延伸的同一半导体层中，沿第三方向相邻的两个读晶体管的有源区位于不同的半导体层中；有源区包括沿第二方向排布的第一电极区、沟道区和第二电极区；每个读晶体管与沿第二方向相邻的两个读晶体管分别共用第一电极区、第二电极区；存储节点阵列包括多个存储节点，写晶体管阵

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 117042448 A (43)申请公布日 2023.11.10 (21)申请号 202310979750.7 (22)申请日 2023.08.04 (71)申请人芯盟科技有限公司地址 3144