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本发明公开了一种MOSFET及工艺方法，在半导体衬底的外延层中形成沟槽，沟槽下部离子注入形成P型掺杂注入区，沟槽内下部保留一定厚度的氧化物；进行光刻及离子注入形成沟道区；进行光刻及离子注入形成阱区、阱区引出区、源区；栅极多晶硅呈T字型；本发明在沟槽内下部保留厚的氧化硅，沟槽下方外延层中形成P型掺杂注入区，厚的氧化硅结构能降低沟槽区域Gate氧化硅的电场强度，降低器件Cgd，降低比导通电阻，提高器件优值，同时该结构也降低了栅极栅氧电场，提高SiCMOSFET器件的可靠性。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 117038455 A
(43)申请公布日 2023.11.10
(21)申请号 202310953106.2
(22)申请日 2023.07.31
(71)申请人 上海澜芯半导体有限公司
地址 2
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