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本发明涉及一种半导体结构及其制备方法，包括：衬底；第一介质层，位于所述衬底上，且具有沿第一方向延伸的第一沟槽；测试垫，填充所述第一沟槽；第二介质层，覆盖所述测试垫与所述第一介质层，所述第二介质层具有沿第二方向延伸的第二沟槽，所述第二沟槽底部暴露所述测试垫，且所述测试垫在多个所述第二沟槽底部连续，所述第一方向与所述第二方向交叉。本发明的半导体结构及其制备方法具有如下有益效果：测试垫沿第一方向延伸，第二沟槽沿第二方向延伸，使得第二沟槽的底部暴露出测试垫，在第二沟槽的底部形成周期性图案，提高了OCD量
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 117038645 A
(43)申请公布日 2023.11.10
(21)申请号 202311302514.8
(22)申请日 2023.10.10
(71)申请人 合肥新晶集成电路有限公司
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