暗电流消除的硅基锗PIN探测器及半导体设备.pdfVIP

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2023-11-11 发布于四川
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暗电流消除的硅基锗PIN探测器及半导体设备.pdf

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本发明提供了一种暗电流消除的硅基锗PIN探测器及半导体设备，探测器包括：衬底层；下埋氧层，其形成在所述衬底层上；顶层硅，所述顶层硅通过掺杂形成位于中间的n掺杂区域以及位于n掺杂区域两侧的两个p掺杂区域；且在n掺杂区域的中间的硅脊波导层；锗吸收层，其配置在所述硅脊波导层上；上埋氧层，其形成在所述顶层硅上；第一电极对，其设置在所述上埋氧层，并通与顶层硅的两个p掺杂区域电连接；第二电极对，设置在所述上埋氧层，并与顶层硅的n掺杂区域的两侧电连接；第三电极，其设置在所述上埋氧层，并与所述锗吸收层电连接。基

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 117038776 A (43)申请公布日 2023.11.10 (21)申请号 202311204363.2 (22)申请日 2023.09.18 (71)申请人三明学院地址 365000