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本公开涉及一种半导体结构及其制造方法。半导体结构的制造方法包括如下步骤：提供基底，基底包括衬底和栅极结构，衬底包括有源区，有源区包括沟道区和源漏区；形成第一氮化物层，第一氮化物层随形覆盖栅极结构和衬底；形成氧化物层，氧化物层覆盖位于源漏区上和位于栅极结构的侧壁上的第一氮化物层，氧化物层包括至少一个掺杂子层和至少一个未掺杂子层；刻蚀氧化物层，形成暴露源漏区的接触孔，在刻蚀氧化物层的过程中，掺杂子层的横向刻蚀速率不同于未掺杂子层的横向刻蚀速率；形成接触插塞。本公开确保了接触孔/接触插塞的侧壁形貌，而
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 117042447 A
(43)申请公布日 2023.11.10
(21)申请号 202310935328.1
(22)申请日 2023.07.26
(71)申请人 长鑫科技集团股份有限公司
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