半导体结构的制备方法、以及半导体结构.pdfVIP

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2023-11-25 发布于四川
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半导体结构的制备方法、以及半导体结构.pdf

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本申请提供一种半导体结构的制备方法、以及半导体结构。该方法包括：在衬底上形成有源结构，其中，有源结构至少包括第一部分和第二部分；基于有源结构的第一部分，形成第一晶体管，其中，第一晶体管的第一栅结构与衬底之间形成有隔离结构；对衬底所在的晶圆进行倒片处理；去除衬底并部分去除隔离结构，以暴露有源结构的第二部分；在隔离结构中形成通孔，其中，通孔暴露第一栅结构；对通孔进行金属化处理；基于有源结构的第二部分，形成第二晶体管，其中，第二晶体管的第二栅结构与第一栅结构通过通孔互连。通过本申请的方案，能够实现堆叠

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 117116857 A (43)申请公布日 2023.11.24 (21)申请号 202310986686.5 (22)申请日 2023.08.07 (71)申请人北京大学地址 100871