气相外延4H-SiC薄膜生长的研究的开题报告.docxVIP

气相外延4H-SiC薄膜生长的研究的开题报告 题目：气相外延4H-SiC薄膜生长的研究 研究背景与意义： 4H-SiC是一种广泛应用于高功率和高温电子器件的半导体材料，具有良好的热导率、高硬度、高耐化学性、宽带隙等特性。气相外延（CVD）是制备4H-SiC薄膜的主要方法之一，其制备具有工艺简单、高控制性、成本较低的优势。因此，对气相外延4H-SiC薄膜的生长机制进行深入研究，对于促进其在电子器件中的应用具有重要意义。 研究内容： 本次研究将使用低压化学气相沉积系统，在不同的温度、压力和气体流量条件下生长4H-SiC薄膜，并使用多种测试方法如X射线衍射仪、拉曼光谱仪、扫描电子显微镜和原子力显微镜等对其进行表征分析。在此基础上，分析4H-SiC薄膜生长机制、探究影响生长质量的关键因素。 研究目的： 通过研究气相外延4H-SiC薄膜的生长机制和影响因素，探索优化其生长过程、提高其生长质量的方法，为其在电子器件中的应用提供更好的材料基础。 研究方法： 使用低压化学气相沉积系统，在不同的温度、压力和气体流量条件下生长4H-SiC薄膜，并使用多种测试方法如X射线衍射仪、拉曼光谱仪、扫描电子显微镜和原子力显微镜等对其进行表征分析。 预期成果： 通过研究气相外延4H-SiC薄膜的生长机制和影响因素，分析其生长质量，并探求提高其质量的方法。预期获得4H-SiC薄膜在不同生长条件下的表征数据，分析数据得出生长机制和影响因素。同时，为4H-SiC薄膜在电子器件中的应用提供更好的材料基础。 参考文献： 1. H.Y. Wang, F. Ren, Y. Sasago, H. Sekiguchi. Influence of Si/C gas ratio on structural and electronic properties of epitaxial 4H-SiC films grown by hot-wall CVD. Journal of crystal growth, 2002, 237:779-782. 2. M. Tsuchida, N. Iguchi, H. Sawaoka, T. Ishida, M. Miyagawa, K. Kawahara, et al. Sublimation growth of 4H-SiC on various SiC substrates using Si-C-H-based gases. Journal of crystal growth, 2000, 220:270-278. 3. A. Galeckas, H. Lendenmann, H. Mitlehner,et al. Growth and properties of 4H-SiC homoepitaxial films grown on off-axis substrates by CVD. Journal of crystal growth, 2001, 225(2-4): 264-275.