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本发明涉及半导体领域，尤其涉及一种场环结构的TVS芯片及其制作方法，包含P型硅片，所述P型硅片上下两侧端面上均设置有N扩散区，所述P型硅片上端面上还设置有n扩散区，所述n扩散区环绕N扩散区设置，所述P型硅片上还设置有环形贯穿区，所述贯穿区连接P型硅片下端面的N扩散区和n扩散区，所述P型硅片上端面的n扩散区与N扩散区之间的间隙上还覆盖有绝缘区，所述P型硅片上端面还固定有与N扩散区连接的上金属层。通过场环结构，既能实现双向防护，又能单面绝缘，极大降低芯片背面银浆溢出导致的短路失效的概率，从而将芯片的
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117174760A
(43)申请公布日2023.12.05
(21)申请号202311444760.7
(22)申请日2023.11.02
(71)申请人江西信芯半导体有
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