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本发明涉及一种化合物半导体电路隔离结构，其包括隔离槽以及制作在隔离槽下方的阻挡区和接触层；隔离槽底部位于衬底中，阻挡区至少有两列且分别靠近两边化合物器件布设，阻挡区与衬底形成PN结，阻挡区沿隔离槽底部向顶部方向上的正投影位于隔离槽底部区域内，接触层沿隔离槽顶部向底部方向上的正投影位于两列阻挡区或其正投影之间且其掺杂类型与阻挡区的掺杂类型相反，PN结结构与单独的隔离电位及地电位电连接，通过隔离槽和PN结实现相邻两个化合物器件的隔离。该结构中PN结产生的高阻空间电荷区不随电路中电位变化而变化，能够稳
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117174647A
(43)申请公布日2023.12.05
(21)申请号202311340861.X
(22)申请日2023.10.16
(71)申请人湖北九峰山实验室
地址4300
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