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本发明提供一种增强型AlGaN/GaNMOS‑HEMT器件结构，包括Al2O3衬底，顺序层叠于Al2O3衬底上的第一本征GaN缓冲层、第二本征GaN缓冲层、GaN衬底层、AlGaN阻挡层和GaN帽层，GaN帽层至GaN衬底层刻蚀形成左侧源极区域和右侧漏极区域，左侧源极和右侧漏极区域表面形成有凸出于器件表面的金属化欧姆接触，GaN帽层和欧姆接触表面对应的栅极区域形成有栅极氧化层，栅极氧化层表面形成有栅极金属。本发明还提供一种前述器件结构制备方法。本申请能提高器件可靠性、提高2DEG的面密度和沟道
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN110600549A
(43)申请公布日
2019.12.20
(21)申请号20191
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