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本实用新型公开了一种碳化硅肖特基二极管结构，包括碳化硅衬底、第一漂移层、第二漂移层、P型埋层、欧姆接触层和肖特基接触层，第一漂移层设于碳化硅衬底的第一表面，第二漂移层设于第一漂移层上，并具有沟槽结构；P型埋层周期排列埋设于第一漂移层内，并与沟槽结构周围的第二漂移层接触，肖特基接触层覆盖于第二漂移层的表面，欧姆接触层设于碳化硅衬底的第二表面。通过将沟槽结构和埋层结构相结合，利用沟槽结构的优势提高器件的正向导通能力，利用埋层结构优势减少器件的反向漏电流，最后通过在埋层上方使用掺杂浓度更高的N型第二漂
(19)国家知识产权局
(12)实用新型专利
(10)授权公告号CN220189658U
(45)授权公告日2023.12.15
(21)申请号202320465764.2
(22)申请日2023.03.13
(73)专利权人厦门紫硅半导体科技有限公司
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