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2023-12-20 发布于四川
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一种半导体晶圆的刷胶方法.pdf

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本发明涉及一种半导体晶圆的刷胶方法，在第一次刷胶处理之前，预先在半导体晶圆的背面形成图案化的无机介质层，该无机介质层覆盖半导体晶圆的切割道，进而可以避免在切割道处形成半导体晶圆和第一胶层的接合界面，进而可以有效避免在切割过程中胶层剥离现象。且在所述无机介质层的表面形成多个第一凹坑，第一次刷胶处理形成的第一胶层嵌入到无机介质层的开口和第一凹坑中，有效增加了第一胶层和半导体晶圆之间的接合稳固性。且通过设置两层完全固化的胶层和一层半固化的胶层，且第二凹坑和第三凹坑的设置，有效增加了各胶层之间的接合界面

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN117253780A

(43)申请公布日2023.12.19

(21)申请号202311532806.0

(22)申请日2023.11.17

(71)申请人西安天光半导体有限公司

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