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本发明涉及GaNHEMT器件技术领域，解决了现有GaNHEMT器件在应用于大电压大电流场合时存在不具备高阈值电压以及稳定性较差的技术问题，尤其涉及一种高阈值电压的增强型GaNHEMT器件结构，在HEMT器件上栅极区域所对应的位置设置有用于使GaNHEMT器件具有2.5‑12V阈值电压以及电压稳定的复合栅结构。本发明采用i‑GaN阻挡层、P型氮化镓层以及介质层和栅极区域的栅金属组成复合栅结构，能够在获得高阈值电压的同时还有较高饱和电流以及低栅极漏电流，并且还具有较大的栅压摆幅，因此使GaN
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117253916A
(43)申请公布日2023.12.19
(21)申请号202311222687.9C23C14/10(2006.01)
(22)申请日2023.09.
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