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制造半导体装置的方法.pdfVIP

制造半导体装置的方法.pdf

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    一种制造半导体装置的方法可以包括：在鳍型图案上形成源极/漏极图案；在源极/漏极图案上形成蚀刻停止膜和层间绝缘膜；在层间绝缘膜中形成接触孔；沿着接触孔的侧壁和底表面形成牺牲衬垫；在牺牲衬垫存在的同时执行离子注入工艺；去除牺牲衬垫并沿着接触孔的侧壁形成接触衬垫；以及在接触衬垫上形成源极/漏极接触件。离子注入工艺可以包括将杂质注入到源极/漏极图案中。源极/漏极接触件可以连接到源极/漏极图案。

    (19)国家知识产权局

    (12)发明专利申请

    (10)申请公布号CN117253855A

    (43)申请公布日2023.12.19

    (21)申请号202310521771.4

    (22)申请日2023.05.10

    (30)优先权数据

    10-2022-0074038

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