原创力文档- 1、本文档内容版权归属内容提供方，所产生的收益全部归内容提供方所有。如果您对本文有版权争议，可选择认领，认领后既往收益都归您。。
- 2、本文档由用户上传，本站不保证质量和数量令人满意，可能有诸多瑕疵，付费之前，请仔细先通过免费阅读内容等途径辨别内容交易风险。如存在严重挂羊头卖狗肉之情形，可联系本站下载客服投诉处理。
- 3、文档侵权举报电话：400-050-0827(电话支持时间：9:00-18:30)。
- 4、该文档为VIP文档，如果想要下载，成为VIP会员后，下载免费。
- 5、成为VIP后，下载本文档将扣除1次下载权益。下载后，不支持退款、换文档。如有疑问请联系我们。
- 6、成为VIP后，您将拥有八大权益，权益包括：VIP文档下载权益、阅读免打扰、文档格式转换、高级专利检索、专属身份标志、高级客服、多端互通、版权登记。
- 7、VIP文档为合作方或网友上传，每下载1次， 网站将根据用户上传文档的质量评分、类型等，对文档贡献者给予高额补贴、流量扶持。如果你也想贡献VIP文档。上传文档
查看更多
本发明涉及一种碳化硅化学气相沉积外延方法和碳化硅外延片。碳化硅化学气相沉积外延方法包括如下步骤：提供前驱体和载气，前驱体包括生长气源，生长气源为甲基三氯硅烷、甲基二氯硅烷、甲基氯硅烷或者甲基硅烷；将生长气源和载气注入气体混合装置中，调节气体混合装置的温度，以使生长气源在相应温度下可被载气带出所述气体混合装置；以及根据预设的碳硅比调节生长气源的浓度，之后由载气带出的生长气源在非冷凝状态下通入碳化硅化学气相沉积外延设备的反应腔室，进行碳化硅外延层的生长。本发明技术方案的碳化硅化学气相沉积外延方法能够
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117248275A
(43)申请公布日2023.12.19
(21)申请号202311543976.9
(22)申请日2023.11.20
(71)申请人希科半导体科技（苏州）有限公司
地
文档评论（0）