微电子器件可靠性的失效物理概论.pptVIP

敏感元件分类-1级敏感元件分类-2级敏感元件分类-3级静电防护措施防静电工作区：地板工作台湿度接地系统防静电器具防护罩操作者：手腕工作服操作包装运输储存设计防护网络管理标志提示等补充材料：电子设备中电路板布局、布线和安装的抗ESD设计规则普通电路中的保护电路3.9辐射损伤来源：自然环境：天然相射带、宇宙射线、太阳风和太阳光耀斑．它们是一些带电或不带电粒子，包括质子,电子,中子,x射线和γ射线等。人造环境：如核武器爆炸环辐射对微电子器件的损伤：永久损伤：辐射源去除，不能恢复性能。半永久损伤：较短时间内，可以自行恢复瞬时损伤：器件性能立即恢复辐照效应位移效应：中子不带电，具有很强的穿透能力。可将原子打离原位成为间隙原子，原处留下个空位。影响：少子寿命(陷阱及俘获中心),迁移率(散射中心)等。电离效应：电子、质子、γ射线等辐射粒子进入硅材料并与原子轨道上的电子相碰撞产生电子空穴对而使原子电离。影响：电导率上升；化学变化，分子结构变化；氧化层中电荷增加，界面态增加。瞬时辐照效应：γ射线在空间电荷区产生大量电子空穴对。影响：瞬时光电流；闩锁等单粒子效应：高能重粒子引起软误差等。损伤与辐射剂量有关,材料单位质量吸收的能量值。单位：戈瑞(Gy)核电损伤核武器爆炸时产生的核电磁脉冲，在电子系统的输入电缆或天线回路中产生感应电流，电流流入系统内部，产生瞬时干扰和永久损伤。感应电流对数字电路损伤较大，能改变其逻辑状态，发生二次击穿而烧毁。对CMOS电路主要引起栅穿或烧毁保护电路，也可引发闩锁。对双极型器件，主要对PN结有损伤，引起反向漏电或击穿。抗核加固(1)不同类型器件具有不同的抗核能力，应根据使用需要，选用性能合适、抗核辐射能力好的器件。(2)在器件的设计制造过程中，提高器件本身抗核损伤能力：抗中子辐射加固。对双极型晶体管可减小基区宽度．增加基区掺杂浓度，基区掺金以降低少子寿命。抗电离辐射加固。对MOS器件，选用＜100＞晶向的衬底，栅氧热氧化温度降低，减少栅氧厚度，减少离子注入引起的损伤。对双极器件，表面钝化层用A12O3层和Si3N4，明显提高它的抗电离辐射能力抗瞬时辐射加固。减小PN结面积，降低反偏电压和少于寿命，用介质隔离代替电电路中的刚结隔离．有助于器件抗瞬时辐射的能力。对CMOS电路则应消除其产生闩锁的条件。(3)整机或系统设计中，注意增加器件增益等参数的余量，采用补偿电路，全面屏蔽和良好的接地。抗核加固——六种工艺比较3.10软误差什么是软误差？射线照射半导体存贮器时，引起存贮数据位丢失或变化,在下次写入时存贮器又能正常工作，它完全随机发生，这种数据位丢失叫软误差。引起软误差原因:a射线的电离效应。能量为5Meva射线,穿入硅衬底深度约25um,沿运动路径随着能量损失约产生2.5×106个电子-空穴对。出错模式存贮单元模式(有电子为0无电子为1)位线模式临界电荷电路产生误差所需的最小电荷量定义为临界电荷QcritQcrit=Qc-QminQc正常电荷,Qmin能正确读出的最小电荷.希望Qcrit大存储器的软误差取决于Qcrit和该单元的收集效率。16KbDRAMQcrit-10664KbCCDQcrit-105，软误差失效严重。随集成度上升，对软误差更敏感。改进措施减少?粒子来源：外界；本身封装材料阻挡层：聚酸胺系列有机高分子化合物，阻止?粒子射入芯片设计容限：临界电荷大，增加存储单元单位面积电荷存储容量。高K，沟槽结构电容，衬底中增加掩埋，优化杂质浓度。。纠错设计：ECC，有问题发现。时序控制电路，减少位线浮动时间。3.11水汽的危害后工序(中测,划片,键合,封装)可靠性问题。塑封：环氧树脂中，加硬化剂,填充剂，加热加压固化成管壳。湿气引起1金属材料腐蚀2器件性能退化水汽的来源和影响来源器件内部残留表面吸附间隙渗入外界扩散影响带杂质进来溶解杂质形成电解液引起体积膨胀等作用内引线腐蚀外引线腐蚀电特性退化铝腐蚀——化学电化学电池铝腐蚀——化学电化学电池外引线的锈蚀—本身水汽电位差管腿材料多用柯伐，它是铁一镍一铬的合金，除了其在机械加工中引入应力而产生应力腐蚀外，还存在电化学腐蚀。本身表面存在裂缝，或表面镀层不完整、不致密，有针孔，毛细作用使孔内凝聚水汽，出现电化学腐蚀。存在Cl-杂质离子时，腐蚀速度加快。外引线周围有水汽凝结，引线间有电位差(如