第五章-离子注入--课件.pptxVIP

第五章离子注入;有关扩散方面的主要内容

?费克第二定律的运用和特殊解

?特征扩散长度的物理含义

?非本征扩散

?常用杂质的扩散特性及与点缺陷的相互作用

?常用扩散掺杂方法

?常用扩散掺杂层的质量测量;实际工艺中二步扩散;当 时，最后的杂质浓度分布可近似为;什么是离子注入

离化后的原子在强电场的加速作用下，注射进入靶材料的表层，以改变这种材料表层的物理或化学性质;第五章离子注入;磁分析器;;离子注入过程是一个非平衡过程，高能离子进入靶后不断与原子核及其核外电子碰撞，逐步损失能量，最后停下来。停下来的位置是随机的，大部分不在晶格上，因而没有电活性。;注入离子如何在体内静止？

LSS理论——对在非晶靶中注入离子的射程分布的研究

1963年，Lindhard,ScharffandSchiott首先确立了注入离子在靶内分布理论，简称 LSS理论。

该理论认为，注入离子在靶内的能量损失分为两个彼此独立的过程

核阻止（nuclearstopping）

电子阻止 （electronicstopping）

总能量损失为两者的和;核阻止本领与电子阻止本领-LSS理论

阻止本领（stoppingpower）：材料中注入离子的能量损失大小单位路程上注入离子由于核阻止和电子阻止所损失的能量(Sn(E),

Se(E))。

核阻止本领：来自靶原子核的阻止，经典两体碰撞理论。

电子阻止本领：来自靶内自由电子和束缚电子的阻止。;;核阻止能力的一阶近似为：;第五章离子注入;电子阻止本领;总阻止本领（Totalstoppingpower）;离子 E2

B 17keV;表面处晶格损伤较小;R：射程（range）离子在靶内的总路线长度Rp：投影射程（projectedrange）R在入射方向上的投影;ΔRp;投影射程Rp:;注入离子的浓度分布

在忽略横向离散效应和一级近似下，注入离子在靶内的纵向浓度分布可近似取高斯函数形式

200keV 注入;由;Q可以精确控制;常用注入离子在不同注入能量下的特性;已知注入离子的能量和剂量，

估算注入离子在靶中的浓度和结深;【解】1)从查图或查表得Rp=4289?=0.43μmΔRp=855?=0.086μm

峰值浓度

Cp=0.4Q/ΔRp=0.4×5×1014/(0.086×10-4)=2.34×1019cm-3

衬底浓度CB＝2×1016cm-3;注入离子的真实??布;横向效应

横向效应指的是注入离子在垂直于入射方向平面内的分布情况;;注入掩蔽层——掩蔽层应该多厚？

如果要求掩膜层能完全阻挡离子;解出所需的掩膜层厚度：;离子注入退火后的杂质分布;离子注入的沟道效应

沟道效应（Channelingeffect）

当离子沿晶轴方向注入时，大部分离子将沿沟道运动，几乎不会受到原子核的散射，方向基本不变，可以走得很远。;110;;表面非晶层对于沟道效应的作用;减少沟道效应的措施

对大的离子，沿沟道轴向(110)偏离7－10o

用Si，Ge，F，Ar等离子注入使表面预非晶化，;典型离子注入参数

离子：P，As，Sb，B，In，O剂量：1011~1018cm-2

能量：1–400keV

可重复性和均匀性: ±1%

温度：室温

流量：1012-1014cm-2s-1;什么是注入损伤

晶格损伤：高能离子注入硅片后与靶原子发生一系列碰撞，可能使靶原子发生位移，被位移原子还可能把能量依次传给其它原子，结果产生一系列的空位－间隙原子对及其它类型晶格无序的分布。这种因为离子注入所引起的简单或复杂的缺陷统称为晶格损伤。;EORdamage;损伤的产生;移位原子的估算

入射离子在碰撞过程中传递给靶原子的能量

EdE2Ed时，只能使一个原子移位。只有当能量2Ed时，才能增加移位原子的数目。

估算一个以起始能量E0入射的离子，在碰撞过

程中可以使靶内原子移位的数目N(E)为;损伤区的分布

质量较靶原子轻的离子传给靶原子能量较小，被散射角度较大，只能产生数量较少的位移靶原子，因此，注入离子运动方向的变化大，产生的损伤密度小，不重叠，但区域较大。呈锯齿状。

重离子每次碰撞传输给靶的能量较大，散射角小，获得大能量的位移原子还可使许多原子移位。注入离子的能量损失以核碰撞为主。同时，射程较短，在小体积内有较大损伤。重离子注入所造成的损伤区域小，损伤密度大。;非晶化（Amorphization）

注入离子引起的晶格损伤有可能使晶体结构完全破