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本发明公开了一种无光刻胶的纳米级氧化硅通孔制备方法，涉及集成电路制造领域，所述方法包括以下步骤：步骤1、在以二氧化硅为衬底的基片的表面上，使用气相淀积制备金属薄膜；步骤2、对所述基片进行真空或保护气氛下的第一次退火，使得所述金属薄膜自组装生长为金属纳米颗粒阵列；步骤3、对所述基片进行真空或保护气氛下的第二次退火，在所述二氧化硅衬底的热氧化层上生成微观刻蚀的通孔。本发明所提供的技术方案在金属纳米颗粒位置进行刻蚀，制备过程中不使用光刻等图形化工艺，且刻蚀为各向异性，具备很高的纵横比，整个制备过程制作
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117276192A
(43)申请公布日2023.12.22
(21)申请号202311120497.6
(22)申请日2023.08.31
(71)申请人青岛大学
地址266000
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