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- 2023-12-27 发布于四川
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本发明提供了一种极紫外光刻掩模近场计算方法及系统，包括：基于部分相干照明中各个光源点的入射角和偏振类型，生成各个光源点对应的入射场；基于掩模图案和吸收层生成掩模吸收体；基于掩模吸收体的折射率计算掩模吸收体对应的散射势；基于掩模吸收体对应的散射势，各个光源点对应的入射场，以及各个光源点对应的电场分布的初值，采用修正玻恩级数法计算各个光源点在掩模吸收体的电场分布，以确定各个光源点的掩模近场；其中，对于第一个计算的光源点，电场分布的初值为预设的，对于其他光源点，电场分布的初值为与其他光源点相近的光源点
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117289555A
(43)申请公布日2023.12.26
(21)申请号202311161823.8
(22)申请日2023.09.08
(71)申请人华中科技大学
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