GaN基HEMT器件的基础研究的开题报告.docxVIP

GaN基HEMT器件的基础研究的开题报告

标题：GaN基HEMT器件的基础研究

背景：

GaN(氮化镓)材料因其高电子流速和饱和迁移速度、较高的热导率和机械强度、宽的临界电场和热容量等优势，被广泛应用于功率电子器件领域。其中，GaN基HEMT(高电子迁移率晶体管)器件因其卓越的性能表现，成为微电子领域的研究热点之一。然而，GaN基HEMT器件的制备和性能研究仍在进行中，对于其本质物理及工艺制备的深入理解还有待进一步探索。

研究目的：

本研究旨在探究GaN基HEMT器件的基础理论和制备工艺，深入分析其本质物理机制以及电学性能表现。

研究内容：

1.GAN材料的结构和物性的介绍及其优势分析；

2.HEMT器件的基本原理和特性分析；

3.分析GaN基HEMT器件的本质物理机制，包括场效应、悬挂栅效应、厚度限制效应等；

4.研究GaN基HEMT器件的制备工艺，包括清洗表面、生长衬底、生长GaN层、生长AlGaN层、制作栅极、制作源漏极等；

5.对GaN基HEMT器件的电学性能进行测试和分析，包括漏电流、输出电流、开关速度、崩溃电压等方面，比较不同工艺参数对器件性能的影响。

研究意义：

本研究可以对GaN基HEMT器件的本质物理和工艺制作进行深入探究和分析，进一步提高其性能和可靠性，为其在功率电子器件领域的应用提供理论和实验依据。同时，还将推动国内GaN领域相关工作的发展，为我国微电子产业发展做出贡献。

研究方法：

本研究将采用理论计算、仿真模拟、实验测试等方法进行研究。主要包括使用第一性原理计算方法，研究GaN材料的结构和物性；通过仿真模拟软件，对GaN基HEMT器件的本质物理机制进行分析；利用制备设备和测试仪器，进行HEMT器件的制备和性能测试，对不同工艺参数对器件性能的影响进行比较分析。

预期成果：

通过本研究，预期可以对GaN基HEMT器件相关领域进行深入研究和分析，取得一定的研究成果，如提高GaN基HEMT器件的性能和可靠性、揭示其本质物理机制等；形成一定的学术交流和探讨，推动国内微电子产业研究发展。