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本发明揭示了一种芯片封装散热层防剥离工艺及结构，该剥离工艺包括对晶圆表面进行清洗，去除半导体晶片表面的污染物；对清洗后的晶圆进行干燥，去除半导体晶片表面的清洗液；通过半切削开设半槽，分离晶圆上相邻的芯片单元；在晶圆表面进行镀膜，获取散热层。该剥离结构包括晶圆、半槽以及散热层；所述晶圆上设置有多个芯片单元；所述半槽设置在所述晶圆上，且所述半槽用于切割分离所述晶圆上的单个芯片单元；所述散热层设置在所述晶圆表面，且所述散热层在所述半槽隔离下处于非平面。本发明在进行单个芯片单元的切割时，不会造成镀层的剥
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117352471A
(43)申请公布日2024.01.05
(21)申请号202311495321.9
(22)申请日2023.11.10
(71)申请人池州鸿芯志半导体有限公司
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