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半导体器件及其制造方法.pdfVIP

半导体器件及其制造方法.pdf

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    一种半导体器件，包括在衬底上并在第一方向上突出的下部图案，在下部图案上并包括与下部图案接触的半导体衬垫膜的源极/漏极图案、以及沿着半导体衬垫膜的侧壁的至少一部分延伸的外延绝缘衬垫，其中外延绝缘衬垫与半导体衬垫膜接触，其中半导体衬垫膜包括第一部分，其中半导体衬垫膜的第一部分包括在第一高度处与下部图案间隔开的第一点以及在第二高度处与下部图案间隔开的第二点，其中第二高度大于第一高度，其中半导体衬垫膜在第一点处在第二方向上的宽度小于半导体衬垫膜在第二点处在第二方向上的宽度，并且其中外延绝缘衬垫沿着半导体

    (19)国家知识产权局

    (12)发明专利申请

    (10)申请公布号CN117352512A

    (43)申请公布日2024.01.05

    (21)申请号202310796854.4H01L21/8234(2006.01)

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