《表面等离子体光刻正入射照明掩模制造工艺规范》编制说明.pdfVIP

《表面等离子体光刻正入射照明掩模制造

工艺规范》

编制说明

团标制定工作组

二零二四年一月

一、工作简况

（一）任务来源

根据2023年全国标准化工作要点，大力推动实施标准化战略，

持续深化标准化工作改革，加强标准体系建设，提升引领高质量发展

的能力。为响应市场需求，需要制定完善的表面等离子体光刻正入射

照明掩模制造工艺规范团体标准，对产品进行管理，满足市场质量提

升需要。依据《中华人民共和国标准化法》，以及《团体标准管理规

定》相关规定，中国国际科技促进会决定立项并联合天府兴隆湖实验

室等相关单位共同制定《表面等离子体光刻正入射照明掩模制造工艺

规范》团体标准。于2023年11月16日，中国国际科技促进会标准

化工作委员会发布了《关于开展表面等离子体光刻正入射照明掩模

制造工艺规范团体标准立项通知》（【2023】中科促标字第1093号），

项目计划编号CI2023473，正式立项。

（二）编制背景及目的

光刻掩模在薄膜、塑料或玻璃基体材料上制作各种功能图形并精

确定位，以便用于光致抗蚀剂涂层选择性曝光的一种结构。掩模板应

用十分广泛，在涉及光刻工艺的领域都需要使用掩模板，如IC

（IntegratedCircuit，集成电路）、FPD（FlatPanelDisplay，平

板显示器）、PCB（PrintedCircuitBoards，印刷电路板）、MEMS（Micro

ElectroMechanicalSystems，微机电系统）等。

光刻掩模是集成电路光刻工艺中的图形转移工具或母版。光掩膜

的功能类似于传统相机的“底片”，在光刻机、光刻胶的配合下，将

光掩膜上已设计好的图案，通过曝光和显影等工序转移到衬底的光刻

胶上，进行图像复制，从而实现批量生产。光掩膜主要供应商以美日

大厂为主，其中日本凸版印刷、大日本印刷、美国Photronics三家

就占了80%以上的市占率，其他还有日本豪雅HOYA、日本SK电子、

中国台湾光罩等。

目前我国芯片制造能力与国际先进水平仍有差距，半导体领域用

掩模板行业的中高端市场仍主要由国外掩模板厂商占据，国内的掩模

板厂商的技术能力主要集中在芯片封测用掩模板以及100nm节点以

上的晶圆制造用掩模板，与国际领先企业有着较为明显的差距。

表面等离子体光刻是一种先进的光刻技术，它利用表面等离子体

共振效应来实现高分辨率的微纳米加工。正入射照明是一种照明方式，

光线垂直于被照射物体的表面。在表面等离子体光刻中，正入射照明

对于产生高分辨率的图案是至关重要的。在光刻中，正入射照明意味

着光线垂直射向掩模（光刻掩模），并且沿垂直方向反射或透射到目

标材料（通常是半导体晶圆）。这种光刻技术常用于特定制程步骤，

以实现微电子器件中的精确图案和结构。

正入射照明的优势包括：

——增加分辨率：正入射照明有助于产生更为细致的图案，因为

光线垂直于掩膜和光刻胶表面，有利于准确传递掩膜上的图案到光刻

胶上；

——减小图案失真：正入射照明减少了由于斜角入射光线引起的

图案失真，有助于保持光刻图案的形状和尺寸的准确性；

——提高对比度：正入射照明可以增加图案的对比度，使图案边

缘更为清晰，有助于实现更为精细的加工；

——减小光刻胶厚度对图案的影响：光刻胶的厚度对于图案的形

成有影响，正入射照明可以减小光刻胶厚度对图案形状的影响，提高

加工的稳定性和可控性。

——特殊结构的加工：在一些特殊结构的制备中，正入射照明可

以更好地满足特定要求，如在纳米光子学和生物传感器中的应用。

正入射照明掩模具有以下特点：

——垂直射角：光线垂直射向掩模表面，与表面成90°的角度

入射有助于准确地定义芯片上的微小结构；

——高精度：正入射照明通常用于需要高精度和微米级或亚微米

级分辨率的制程步骤。

正入射照明掩模是一种用于实现高精度制程的工具和技术之一，

有助于确保半导体芯片的性能和可靠性。

（三）主要起草单位及起草人所做的工作

主要起草单位：天府兴隆湖实验室联合各企业、单位的专家成立

了规范起草小组，开展标准的编制工作。

经工作组的不懈努力，在2024年1月，完成了标准征求