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2024-01-10 发布于四川
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本发明提供了一种选区外延生长方法及其中使用的掩膜结构，涉及半导体激光器的技术领域，选区外延生长方法括：步骤S1.提供一外延片；步骤S2.在外延片上形成一次外延层；步骤S3.在一次外延层上制备掩膜层；或者，先制备掩膜层，再将掩膜层设置于一次外延层上；其中，掩膜层的制备包括步骤：步骤S31.提供一层体；步骤S32.在层体上形成贯通其上下表面的选区刻蚀通道；步骤S33.在层体的上表面形成向下延伸的收集槽；收集槽位于选区刻蚀通道的周向外侧，且收集槽的深度小于掩膜层的厚度；步骤S4.利用带有收集槽的掩膜层

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN117364235A

(43)申请公布日2024.01.09

(21)申请号202311666753.1

(22)申请日2023.12.07

(71)申请人度亘核芯光电技术（苏州）有限公司

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