一种topcon硼扩散工艺.pdfVIP

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2024-01-17 发布于四川
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本申请提出了一种topcon硼扩散工艺，涉及电池制备技术领域，包括以下步骤：将装有硅晶片的小舟放进炉管，炉管内温度为680℃‑730℃；小舟进入炉管后进行加热升温至780℃‑830℃；对炉管内部抽真空；检漏；前氧化，通入氮气、氧气，使炉管内压力提升至100mbar‑300mbar，温度780℃‑830℃；通源沉积，通入硼源/氧气/氮气进行扩散，炉管内压力100mbar‑300mbar，温度780℃‑830℃；通入氮气，进行无氧推进；通入氮气，同时通入氧气，提升炉管内温度，炉管内压力升高400mb

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN117410383A

(43)申请公布日2024.01.16

(21)申请号202311553301.2

(22)申请日2023.11.20

(71)申请人宜宾英发德耀科技有限公司

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