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ZnO薄膜的N相关掺杂及p-ZnO欧姆接触的研究的开题报告

一、研究背景及意义

氧化锌(ZnO)作为一种新型的半导体材料，具有广泛的应用前景，如光电器件、生物传感器、太阳能电池等领域。然而，ZnO材料的电学性质很大程度上受控于其掺杂类型和水平。因此，N相关掺杂对于优化ZnO薄膜的性能具有重要意义。

另外，ZnO薄膜的p型掺杂一直是一个难题，一般通过p-ZnO/n-ZnO的异质结实现，但是这种接触存在很多问题，如接触电阻大、制备工艺复杂。因此，我们计划研究p-ZnO薄膜的制备及其与n-ZnO的欧姆接触特性，以期为ZnO电学性能的优化提供新思路。

二、研究内容及方法

本研究主要包括两个方面内容：

1.N相关掺杂对ZnO薄膜性能的影响：采用化学气相沉积(CVD)方法在SiO2/Si基底上制备N掺杂的ZnO薄膜，分别研究N掺杂浓度对ZnO薄膜晶体结构、光学性质、电学性质的影响。

2.p-ZnO/n-ZnO欧姆接触特性研究：利用直流磁控溅射方法在ZnO薄膜表面沉积Al、P等材料制备p-ZnO薄膜，并采用光电子能谱(XPS)、扫描电镜(SEM)等手段表征其表面及界面性质；通过四探针测试等方法研究p-ZnO薄膜与n-ZnO的欧姆接触特性，探究制备工艺对接触电阻的影响。

三、预期进展和创新点

1.通过对N掺杂浓度的优化，制备性能优良、稳定的N掺杂ZnO薄膜，并研究其晶体结构、光学性质、电学性质的变化规律。

2.成功制备具有高质量界面及良好接触特性的p-ZnO/n-ZnO异质结，为ZnO电学性能优化提供新思路。

3.掌握p-ZnO薄膜的制备技术，并研究其接触特性的影响因素，为ZnO材料的工业应用提供支持。

四、论文结构

本文主要分为以下几个部分：绪论、文献综述、材料与方法、实验结果与分析、结论与展望、参考文献。其中，绪论阐述了该研究的背景和意义，文献综述对相关研究进行了综述；材料与方法详细介绍了制备N掺杂ZnO薄膜和p-ZnO薄膜的工艺步骤，实验结果与分析进行了相关数据分析；结论与展望总结了研究成果，提出了未来的研究方向。