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基于65nm技术平台的低功耗嵌入式SRAM设计的开题报告

1.研究背景

随着移动设备和物联网应用的广泛开展，嵌入式系统逐渐成为电子领域的重要一环。嵌入式系统中大量使用连续读写的随机存取存储器（SRAM），因此SRAM的低功耗设计成为了现阶段嵌入式系统设计中的关键所在。基于65nmCMOS工艺的低功耗嵌入式SRAM设计成为了研究的热点。

2.研究目的

本文旨在探究基于65nmCMOS工艺平台的低功耗嵌入式SRAM设计，并实现该设计的性能测试，为嵌入式系统的发展做出贡献。

3.研究内容

1)分析低功耗SRAM的设计原理，重点探究静态功耗（静态电流）、写入时间和读取时间的影响因素；

2)确定65nmCMOS工艺平台下SRAM的内部结构和设计参数，采用VerilogHDL语言进行SRAM设计；

3)对SRAM进行功能仿真，验证其读写时间、功耗等性能指标的满足情况；

4)进行电路精度仿真，评估噪声、功耗波动等参数；

5)确定测试方法，对SRAM进行性能测试并与理论值进行比对。

4.预期成果

设计出基于65nmCMOS工艺平台的低功耗嵌入式SRAM，并验证其满足低功耗和高性能的需求。同时，比对测试结果和理论值，为后续嵌入式SRAM设计提供参考依据。

5.参考文献

[1]LiuJ.DesignofCMOSlowpowerSRAMcircuit[C]//2012InternationalConferenceonComputerScienceandServiceSystem(CSSS).IEEE,2012:1968-1971.

[2]ChangCY,HsuTW,ChangCC.65-nmlow-costsingle-port4-KbitSRAMswithpulsed-latchsenseamplifiersandwordlinelatches[J].IEEETransactionsonCircuitsandSystemsI:RegularPapers,2008,55(5):1305-1316.

[3]JanaD,PatiS,SahaS.Anenergy-efficientSRAMdesign:Analysisandcomparativestudy[J].InternationalJournalofComputerApplications,2012,56(13):1-6.