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NP4606 N、P沟道增强型MOSFET SOP-8 深圳恒锐丰科技.pdfVIP

NP4606 N、P沟道增强型MOSFET SOP-8 深圳恒锐丰科技.pdf

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    NP4606

    NAndP-ChannelEnhancementModeMOSFET

    DescriptionSchematicdiagram

    TheNP4606usesadvancedtrenchtechnology

    司D1D2

    toprovideexcellentRDS(ON)andlowgatecharge.

    公

    ThecomplementaryMOSFETsmaybeusedtoform

    限

    alevelshiftedhighsideswitch,andforahostof

    G1G2

    otherapplications.有司

    技

    GeneralFeatures公

    科

    N-channel：限S1S2

    丰

    VDS=30V,ID=6.9A

    锐有p-channeln-channel

    RDS(ON)=18mΩ(typical)@VGS=10V司

    恒技

    RDS(ON)=30mΩ(typical)@VGS=4.5V公

    市科Markingandpinassignment

    P-Channel：丰限

    圳VDS=-30V,ID=-6A有SOP-8

    R=27.2mΩ(typical)@VGS-10V

    深DS(ON)锐(TOPVIEW)

    RDS(ON)=42.5mΩ(typical)@VGS-4.5V技司

    恒公

    ExcellentgatechargexRproduct(FOM)

    市DS(ON)科S218D2

    Verylowon-resistanceRDS(ON)限N

    P

    丰

    YX

    圳

    4

    YX

    150°CoperatingtemperatureG227D2

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    专注电子行业10年，主营电源管理IC、MOS管，方案配套

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