NP3400MR N沟道增强型MOSFET SOT23-3 深圳恒锐丰科技.pdfVIP

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NP3400MR N沟道增强型MOSFET SOT23-3 深圳恒锐丰科技.pdf

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NP3400

N-ChannelEnhancementModeMOSFET

DescriptionSchematicdiagram

TheNP3400usesadvancedtrenchtechnologytoD

司

provideexcellentRDS(ON),lowgatechargeandhigh

公

densitycellDesignforultralowon-resistance.This

限G

deviceissuitableforuseasaloadswitchorinPWM

applications.有司

技

GeneralFeatures公S

科

VDS=30V，ID=5.8A限

丰Markingandpinassignment

RDS(ON)(Typ.)=28mΩ@VGS=2.5V

锐有

RDS(ON)(Typ.)=22mΩ@VGS=4.5V司SOT-23-3L

技

恒(TOPVIEW)

Highpowerandcurrenthandingcapability公

市科

Leadfreeproductisacquired限D

丰

Surfacemountpackage

圳锐有3

深

Application恒技司

公

PWMapplications科340L

市限

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圳锐有

Package12

深恒技GS司

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OrderingInformation丰限

圳锐有

PartNumber深StorageTemperaturePackage技DevicesPerReel司

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