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半导体器件及其制程方法.pdfVIP

半导体器件及其制程方法.pdf

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    本申请提供一种半导体器件及其制程方法。该半导体器件的制程方法包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底包括依次层叠的底部半导体层、埋氧层和顶部半导体层；在所述半导体衬底的隔离区域中形成第一连通孔和空气孔，所述第一连通孔和所述空气孔贯穿至所述底部半导体层；封闭所述空气孔的孔口以在所述空气孔中形成空腔；在所述第一连通孔中填充导电材料。该半导体器件的制程方法能够减小金属互连间的寄生电容，从而有效减弱了制得的半导体器件的寄生电容对其射频性能的影响。

    (19)国家知识产权局

    (12)发明专利申请

    (10)申请公布号CN117476766A

    (43)申请公布日2024.01.30

    (21)申请号202210872110.1

    (22)申请日2022.07.22

    (71)申请人武汉新芯集成电路

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