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本实用新型实施例涉及一种半导体装置，其包含重布层、保护层、凸起壁、导电凸块及金属柱。所述重布层具有暴露内部金属层，所述保护层放置于所述重布层上方，所述保护层包括第一材料。所述凸起壁放置于所述保护层上方及所述暴露内部金属层周围，所述凸起壁包括不同于所述第一材料的第二材料。所述导电凸块至少部分放置于所述重布层上方的所述凸起壁内且与所述暴露内部金属层接触。所述金属柱放置于所述导电凸块上以形成提供与所述暴露内部金属层的电连通的金属接点为有效避免冷焊问题，圆形或矩形聚酰亚胺制成的所述凸起壁首先放置于所述导
(19)国家知识产权局
(12)实用新型专利
(10)授权公告号CN220439607U
(45)授权公告日2024.02.02
(21)申请号202321370289.7
(22)申请日2023.05.31
(30)优先权数据
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