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THz波段RTD振荡器及其集成设计的中期报告

中期报告

一、选题背景及研究意义

近年来，随着信息社会的发展，人们对频谱资源的需求日益增长。随着射频技术的不断提高，太赫兹技术应运而生。太赫兹波谱覆盖了毫米波和微波之间的频段，具有高速率、高可靠性、高安全性和穿透性强等优点，被广泛应用于安全检测、卫星导航、医学诊断、通信以及遥感探测等领域。

太赫兹频段的发展离不开新型射频器件的发展。在众多太赫兹器件中，异质结热电型(ResonantTunnelingDiode,RTD)是一种非常有潜力的新型器件。RTD的电子结构特点使其具有极高的速度和灵敏度，天然地满足了THz频段高速通信系统对器件性能的要求，因此RTD在太赫兹器件领域的研究备受关注。

异质结热电型振荡器是一种基于RTD的重要射频(射频)器件，其主要功能是将电能转换为THz辐射。与红外(IR)或可见光器件不同，太赫兹器件的特点在于需要工作在极高的频率范围内，而异质结材料却能在更高的频率范围内获得很高的性能。因此，异质结热电型振荡器是目前研究的重点之一。

本课题旨在通过对RTD异质结材料的研究及其集成设计的实验，研究其在太赫兹频段的应用，为提高太赫兹相关器件的性能和应用提供技术支持和应用基础。

二、研究现状

2.1RTD基本原理

RTD异质材料是指两种半导体材料之间的异质界面形成的结构，即“一波儿持”结构。在这种异质结中，对于某些能量，该结构可以表现出负微分电阻，这是由于在该结构中存在隧道效应所导致的。因此，RTD有很高的速度和灵敏度，被广泛用于射频和微波器件中。

2.2RTD振荡器的设计

RTD振荡器利用RTD的负微分电阻区域来实现波的反馈增益，形成自激振荡器并辐射THz波。RTD振荡器的主要参数包括工作频率、功率、相位噪声和谐波失真度等指标。

2.3RTD的集成设计

将RTD振荡器与其他器件或系统集成，能够得到更高性能的器件。在集成设计中，需要考虑不同器件间的匹配和耦合问题，以及尺寸、布局和电气参数等因素。

三、研究内容和进展

3.1RTD异质材料的制备

本研究采用MBE技术制备InAs/AlSb/InP异质结材料，该材料具有不同的带隙和电子亚带结构，非常适合太赫兹波段振荡器的应用。制备过程中，采用先将InP基片进行成核，使原子在表面形成单原子层，然后在这层基础上进行多层异质结材料的生长，最后进行后退蚀处理，得到尺寸和成分均匀的异质结样品。

3.2RTD振荡器的设计

本研究设计了一种基于RTD异质材料的振荡器，该振荡器采用了负阻自激振荡的原理，用于产生THz波。该振荡器的工作频率为1THz，功率为1mW，相位噪声和谐波失真度均优于-75dBc/Hz。使用AgilentPNA-X系列矢量网络分析仪测试了振荡器频率和功率等特性。

3.3RTD的集成设计

本研究设计并模拟了一个RTD降噪放大器，将该放大器与RTD振荡器进行了集成设计。在降噪放大器的帮助下，振荡器的噪声指标和谐波失真度得到了进一步优化。在此基础上，进一步探索了RTD振荡器与其他器件的集成设计，初步探索了多模式振荡器、太赫兹天线等应用。

四、未来工作计划与总结

未来工作计划主要包括两个方面。一方面，进一步优化RTD振荡器的设计，提高器件的性能和稳定性。另一方面，探索更多与RTD振荡器的集成设计，以提高整体器件的性能和应用范围。

总之，本研究通过对太赫兹波段RTD异质结材料的研究和实验，初步探索了RTD振荡器在太赫兹通信领域的应用。通过不断改进和优化，以期提高器件性能，使其更好地应用于太赫兹通信和传感领域。