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CMR锰氧化物薄膜的制备及其激光辐照效应研究的综述报告

CMR锰氧化物薄膜是一种重要的功能性材料，具有磁性、铁电性、输运性等多种性质，因此在磁性存储、磁敏电子、传感器等领域具有广泛的应用前景。本文就CMR锰氧化物薄膜的制备及其激光辐照效应进行综述。

一、CMR锰氧化物薄膜的制备方法

1、物理气相沉积法(PVD)

物理气相沉积法是将锰氧化物源材料放在真空室中，加热源材料到高温，使其蒸发，并沉积在基底上形成薄膜的方法。其中可以运用的技术有磁控溅射法、电子束蒸发法、分子束蒸发法和激光蒸发法等。

2、化学气相沉积法(CVD)

化学气相沉积法是在高温条件下将挥发性的锰化合物和氧化合物通过气体传输到反应室中，在催化剂作用下发生反应，最终沉积形成CMR锰氧化物薄膜。常用的技术有金属有机分解法(MOCVD)、热分解反应法(HD-CVD)、等离子体增强化学气相沉积法(PECVD)等。

3、溶液法(Sol-Gel)

溶液法是通过溶剂将锰盐和其他化学物质制成混合物，进行溶胶－凝胶转变，将其沉积在基底上形成薄膜的方法。该技术有成本低、操作方便等优点。

二、CMR锰氧化物薄膜的激光辐照效应研究

研究表明，CMR锰氧化物薄膜可通过激光辐射改变其电学、磁学性能。在CMR类铁磁体中，可通过强激光脉冲诱导造成铁磁－非铁磁相变的现象。研究表明，CMR锰氧化物薄膜经过激光辐照后，其结构和性能有所改变，其中主要包括以下几个方面：

1、激光辐射可导致薄膜的电阻率发生变化

在超短激光脉冲的作用下，CMR锰氧化物薄膜的电子系统发生极短时间的非平衡状态，电子与电声子之间的耦合发生变化，该变化影响了电导率的大小。过去研究表明，CMR锰氧化物薄膜的电导率受掺杂的氧元素影响很大，激光辐照可导致材料中氧元素的扩散和弛豫，从而改变其电导率。

2、激光辐射可改变薄膜的磁性能

CMR锰氧化物薄膜是一种铁磁物质，其磁特性受到晶格、电荷转移和自旋极化等多种因素的影响。当CMR锰氧化物薄膜受到激光辐照时，可能会发生磁性变化，如CoFeB/FeMn多层膜材料经过激光辐射后，磁性能发生变化甚至逆转。

3、激光辐射可改变薄膜的形貌和表面特性

CMR锰氧化物薄膜的表面形貌和表面特性很大程度上决定了其性能。激光辐照可调控薄膜表面的形貌和结构，从而影响其特殊光学性质和输运行为等。

三、CMR锰氧化物薄膜的应用前景

CMR锰氧化物薄膜在传感器、磁储存、存储器、工业自动化等领域具有广泛的应用前景。如在传感器领域中，CMR铁磁体薄膜材料可以制成敏感元件，因其具有很强的磁敏效应，可以用于磁场传感器、电流传感器等器件中；在磁储存领域中，CMR锰氧化物薄膜作为磁读写头的材料有着广阔的应用前景；在存储器领域中，CMR锰氧化物薄膜还可以作为一种电致变色材料，可以用于光存储器、显示器等；在工业自动化领域中，CMR锰氧化物薄膜还可用于制造各种传感器和精密仪器，如声波传感器、色谱仪等。

总之，CMR锰氧化物薄膜作为一种重要的功能性材料，在制备方法和激光辐照效应研究上都有着广泛的研究。其应用前景也十分广泛，正受到越来越多研究人员的关注和开发。