原创力文档- 1、本文档内容版权归属内容提供方，所产生的收益全部归内容提供方所有。如果您对本文有版权争议，可选择认领，认领后既往收益都归您。。
- 2、本文档由用户上传，本站不保证质量和数量令人满意，可能有诸多瑕疵，付费之前，请仔细先通过免费阅读内容等途径辨别内容交易风险。如存在严重挂羊头卖狗肉之情形，可联系本站下载客服投诉处理。
- 3、文档侵权举报电话：400-050-0827(电话支持时间：9:00-18:30)。
- 4、该文档为VIP文档，如果想要下载，成为VIP会员后，下载免费。
- 5、成为VIP后，下载本文档将扣除1次下载权益。下载后，不支持退款、换文档。如有疑问请联系我们。
- 6、成为VIP后，您将拥有八大权益，权益包括：VIP文档下载权益、阅读免打扰、文档格式转换、高级专利检索、专属身份标志、高级客服、多端互通、版权登记。
- 7、VIP文档为合作方或网友上传，每下载1次， 网站将根据用户上传文档的质量评分、类型等，对文档贡献者给予高额补贴、流量扶持。如果你也想贡献VIP文档。上传文档
查看更多
本发明公开一种硅基电容结构及形成方法，所述方法包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底上形成第一硬掩膜层、第二硬掩膜层和光阻层；在所述半导体衬底、所述第一硬掩膜层和所述第二硬掩膜层的堆栈结构中形成多个深沟槽；蚀刻并暴露出所述第一硬掩膜层；在所述第一硬掩膜层上和所述深沟槽中形成绝缘层、m周期的导电层和介电层堆叠、顶导电层的堆栈结构；化学机械研磨至所述第一硬掩膜层；回蚀所述导电层并暴露出所述介电层，形成介电层凸出结构；实施侧墙和金属化工艺；形成层间介质层、接触通孔和金属互连。所述硅基电容及形成方法减少
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117525024A
(43)申请公布日2024.02.06
(21)申请号202311644669.X
(22)申请日2023.12.04
(71)申请人上海兆方半导体有限公司
地址2
文档评论（0）