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本实用新型涉及一种套件组合式晶体基片承载台，所述承载台包括台座；所述承载台还包括钼环、钼片，所述台座上设置有环状槽，所述钼环与台座上的环状槽相匹，其嵌在台座上的环状槽内，与台座之间形成一凹槽，所述钼片与钼环相匹，其设置在钼环内、支撑在台座上。解决单层式钼盘无法很好吸附等离子球的问题，解决下沉式架构无法很好处理积碳的问题，使MPCVD长晶过程中，微波等离子球很好地吸附至钼盘内，球形规则、稳定，减少积碳产生，极大方便长晶后钼盘的积碳清理。
(19)国家知识产权局
(12)实用新型专利
(10)授权公告号CN220450368U
(45)授权公告日2024.02.06
(21)申请号202321789952.7
(22)申请日2023.07.10
(73)专利权人江苏卓远半导体有限公司
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