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本实用新型提供一种防沉积环及半导体工艺设备，防沉积环包括：防沉积环主体和介质传输通道；介质传输通道设置于防沉积环主体内控制其温度；介质传输通道包括通入预设温度介质的入口端和排出经过防沉积环主体后的介质的出口端。本实用新型通过在防沉积环主体内设置介质传输通道保持沉积过程中防沉积环处于较低的第一温度，降低在沉积过程中的沉积速度，减少由于防沉积环表面的沉积物导致的薄膜脱落的风险，延长防沉积环需要进行清洗的周期；同时介质传输通道保持清洗过程中处于较高的第二温度，提高清洗过程中的反应速度，使防沉积环在清洗
(19)国家知识产权局
(12)实用新型专利
(10)授权公告号CN220450286U
(45)授权公告日2024.02.06
(21)申请号202321627478.8
(22)申请日2023.06.25
(73)专利权人芯恩（青岛）集
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