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本申请公开了一种刻蚀速率高的P型元素掺杂硅的刻蚀方法、半导体器件及其制备方法。P型元素掺杂硅的刻蚀方法包括以下步骤：提供待刻蚀结构，所述待刻蚀结构的材料包括P型元素掺杂硅；对所述待刻蚀结构进行快速热退火后，置于刻蚀液中进行刻蚀；其中，所述刻蚀液包括硝酸以及氢氟酸。本申请提供的P型元素掺杂硅的刻蚀方法通过P型元素掺杂硅依次进行快速热处理以及含有氢氟酸以及硝酸的刻蚀液进行刻蚀，可以有效将P型元素掺杂硅的刻蚀速率从提高至减少晶圆的刻蚀制程时间，提高半导体器件的生产速率。避免在控片回收清洗过程中由于刻蚀
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117524864A
(43)申请公布日2024.02.06
(21)申请号202311726469.9
(22)申请日2023.12.15
(71)申请人粤芯半导体技术股份有限公司
地址
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