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一种基于深亚微米刻蚀槽的Slot-DBR半导体激光器的设计和制作的开题报告

摘要:

本文论述了一种新型的Slot-DBR半导体激光器,该激光器以深亚微米刻蚀槽为基础,并通过设计和制作的方式完成了样品的制备。本文将重点介绍该激光器的设计思路和制作方法,同时进行相应的性能测试和分析。最后,本文将对该激光器的应用前景和未来发展方向进行探讨。

关键词:Slot-DBR半导体激光器、深亚微米刻蚀槽、设计、制作、性能测试

一、研究背景

随着信息技术的快速发展,人们对高速、高能效、高可靠性的光电子器件提出了越来越高的要求。在这个背景下,半导体激光器作为一种典型的光电子元件,其研究和应用正处于一个快速发展的阶段。Slot-DBR半导体激光器作为一种新型的激光器,在高速、低噪声、高效率等方面表现出了优异的性能,因此备受关注。

在传统的激光器中,通常采用反射镜将光线反射回来,因此制备难度大、成本高,并且易导致器件的失效。为了解决这些问题,Slot-DBR半导体激光器应运而生。该激光器通过在半导体材料中制作周期性的深亚微米刻蚀槽来实现反射,从而达到了简单、低成本的目的。

二、研究内容和方法

本文的研究重点在于设计和制作一种新型的Slot-DBR半导体激光器,其中主要的技术难点在于对深亚微米刻蚀槽的制备和控制。具体而言,本文采用以下三个步骤来完成样品的制备。

第一步:通过软光刻技术在GaAs/AlGaAs的材料上制备出周期性的光栅结构。

第二步:通过ICP深刻蚀技术,将光栅结构深刻出半导体材料的刻槽结构,形成周期性的槽道反射镜。

第三步:利用激光外延和光刻技术,将窄缝波导结构与槽道反射镜结合起来,完成Slot-DBR半导体激光器的制备。

为了验证该激光器的性能,我们使用光学测量仪器对样品进行了测试,包括激射光输出功率、光谱、波长和荧光光谱等性能指标的测试。

三、研究意义和预期结果

通过深亚微米刻蚀槽技术的应用,本文成功制备了一种具有周期性槽道反射镜的Slot-DBR半导体激光器。该激光器具有制备成本低、制备难度小、性能优异等特点,将有望应用于通信、光电子集成等领域,具有广阔的应用前景。

预计的成果包括:

1.成功设计并制备周期性槽道反射镜的Slot-DBR半导体激光器。

2.对激光器的性能进行全面测试和分析,获得其光输出功率、输出光谱、波长、荧光光谱等重要性能指标。

3.对激光器的应用前景和未来发展方向进行探讨和展望。

四、参考文献

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[2]ChenJJ,LiRG,LuYJ,etal.Ultrafastoutputopticalpulsefromwavelength-scalethicknessmultiplequantumwellsstub[J].AppliedPhysicsLetters,2008,93(18):181103.

[3]吴洪,赖卫东,郭瑞智.深腐蚀槽制备周期性光栅标准样品[J].科研装备与技术,2015(06):107-108.

[4]吴昌辉,刘宏伟,李应波,等.DBR激光器中曲率调制PIN光电探测器的研究[J].光学学报,2005,25(6):743-747.

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