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掩膜图形化方法、半导体结构及半导体结构的制备方法.pdfVIP

掩膜图形化方法、半导体结构及半导体结构的制备方法.pdf

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    本公开涉及一种掩膜图形化方法、半导体结构和半导体结构的制备方法。所述掩膜图形化方法，包括：形成第一图形结构；于第一图形结构表面旋涂硬掩膜材料，形成硬掩膜层；于硬掩膜层上形成感光压印胶层；对感光压印胶层进行复合纳米压印光刻，以在感光压印胶层中形成压印图案，并对感光压印胶层的非压印图案区进行曝光；显影去除感光压印胶层位于压印图案下方的残余部分，在感光压印胶层中形成压印光刻图案；基于压印光刻图案刻蚀硬掩膜层及第一图形结构，在第一图形结构中形成第一掩膜图案，获得第二图形结构。本公开利于简化精细图形的工艺

    (19)国家知识产权局

    (12)发明专利申请

    (10)申请公布号CN117542731A

    (43)申请公布日2024.02.09

    (21)申请号202210915696.5

    (22)申请日2022.08.01

    (71)申请人长鑫存储技术有限公司

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