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电容器阵列结构、半导体存储器及制备方法.pdfVIP

电容器阵列结构、半导体存储器及制备方法.pdf

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    本发明提供一种电容器阵列结构、半导体存储器及制备方法，包括：提供半导体衬底，于半导体衬底上形成牺牲层及支撑层；形成具有窗口的图形化掩膜层，并于牺牲层及支撑层内形成电容孔；于电容孔的底部及侧壁形成下电极层，去除牺牲层；于下电极层的内表面以及外表面形成电容介质层，于电容介质层的表面形成上电极内衬层；于上电极内衬层表面形成上电极填孔体，于上电极填孔体表面形成上电极覆盖层。通过上述方案，本发明改变了金属接触层与导线层的制备顺序，解决了填充材料层时出现提早封口的问题，改进了上电极填孔体的填充，改善了电连接

    (19)中华人民共和国国家知识产权局

    (12)发明专利申请

    (10)申请公布号CN107968044A

    (43)申请公布日

    2018.04.27

    (21)申请号20171

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