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本发明实施例公开了一种半导体器件的制作方法、半导体器件、存储器及存储系统。所述半导体器件的制作方法包括：在基底的背面形成停止层，其中，所述基底的背面与所述基底的正面相对设置，所述基底的侧面分别与所述基底的正面和背面连接；在所述基底的正面、侧面以及所述停止层背离所述基底的一侧形成栅极层；去除所述基底侧面以及所述停止层背离所述基底一侧的栅极层，使所述基底正面的栅极层形成栅极。本发明实施例能够避免栅极层去除时基底背面被损坏，提高半导体器件的性能。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN114121665A
(43)申请公布日2022.03.01
(21)申请号202111311607.8
(22)申请日2021.11.08
(71)申请人长江存储科技有限责任公司
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