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本发明公开了一种屏蔽栅功率器件，屏蔽栅介质膜具有阶梯结构且从底部到顶部方向上，各介质膜段的厚度依次减小。屏蔽栅导电材料层具有和介质膜段的数量相同的多个导电材料段。相邻的第一介质膜段和第二介质膜段中，第一和第二介质膜段都由第一介质膜层组成，位于第二介质膜段的形成区域的第一介质膜层的厚度从第一介质膜段的厚度减薄到第二介质膜段的厚度并从而形成第二介质膜段；第一介质膜段的顶部表面由第一导电材料段自对准定义，第二介质膜段的减薄区域由第一导电材料段自对准定义。本发明还公开了一种屏蔽栅功率器件的制造方法。本发
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117594660A
(43)申请公布日2024.02.23
(21)申请号202311559691.4
(22)申请日2023.11.22
(71)申请人南通尚阳通集成电路有限公司
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